[发明专利]对被处理体进行处理的方法

摘要

一实施方式所涉及的方法(MT)提供一种在有机膜等的加工中能够进行图案形状的控制的技术。成为一实施方式的方法(MT)的应用对象的晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)及掩模(ALM)，有机膜(OL)由第1区域(VL1)与第2区域(VL2)构成，掩模(ALM)设置于第1区域(VL1)上，第1区域(VL1)设置于第2区域(VL2)上，第2区域(VL2)设置于被蚀刻层(EL)上。方法(MT)中，在收容有晶片(W)的处理容器(12)内生成包含氮气的气体的等离子体而对第1区域(VL1)进行蚀刻直至到达第2区域(VL2)，从第1区域(VL1)形成掩模(OLM1)，在掩模(OLM1)的侧面(SF)保形形成保护膜(SX)，且对第2区域(VL2)进行蚀刻直至到达被蚀刻层(EL)，从第2区域(VL2)形成掩模(OLM2)。

主权项

1.一种方法，其是对被处理体进行处理的方法，其中，该被处理体具备被蚀刻层、设置于该被蚀刻层上的有机膜和设置于该有机膜上的掩模，该有机膜由第1区域与第2区域构成，该掩模设置于该第1区域上，该第1区域设置于该第2区域上，该第2区域设置于该被蚀刻层上，该方法具备：在收容有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用该等离子体与所述掩模对所述第1区域进行蚀刻直至到达所述第2区域，并在该第1区域的侧面保形形成保护膜的工序；及使用所述保护膜维持所述第1区域的形状，并且对所述第2区域进行蚀刻直至到达所述被蚀刻层的工序。