[发明专利]硅晶片的评价方法及制造方法有效

专利信息
申请号: 201780043227.6 申请日: 2017-02-23
公开(公告)号: CN109477241B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 鸟越和尚;小野敏昭 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/20;H01L21/02;H01L21/66
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张桂霞;杨戬
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的课题在于减少时间与成本而以简便的方法来评价硅晶片的缺陷区域的有无及种类。一种硅晶片的评价方法,其为从通过切克劳斯基法培育的单晶硅锭切出的硅晶片的评价方法,其中,测定对硅晶片施以热供体产生热处理时产生的热供体的产生速度(S14),根据该热供体的产生速度来判别晶体缺陷区域的有无或晶体缺陷的种类(S15)。
搜索关键词: 晶片 评价 方法 制造
【主权项】:
1.一种硅晶片的评价方法,其为从通过切克劳斯基法培育的单晶硅锭切出的硅晶片的评价方法,该硅晶片的评价方法的特征在于,测定对所述硅晶片施以热供体产生热处理时产生的热供体的产生速度,根据该热供体的产生速度来判别晶体缺陷区域的有无或晶体缺陷的种类。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司,未经胜高股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780043227.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top