[发明专利]硅晶片的评价方法及制造方法有效
| 申请号： | 201780043227.6 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN109477241B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 鸟越和尚;小野敏昭 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20;H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于减少时间与成本而以简便的方法来评价硅晶片的缺陷区域的有无及种类。一种硅晶片的评价方法，其为从通过切克劳斯基法培育的单晶硅锭切出的硅晶片的评价方法，其中，测定对硅晶片施以热供体产生热处理时产生的热供体的产生速度(S14)，根据该热供体的产生速度来判别晶体缺陷区域的有无或晶体缺陷的种类(S15)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 评价 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片的评价方法，其为从通过切克劳斯基法培育的单晶硅锭切出的硅晶片的评价方法，该硅晶片的评价方法的特征在于，测定对所述硅晶片施以热供体产生热处理时产生的热供体的产生速度，根据该热供体的产生速度来判别晶体缺陷区域的有无或晶体缺陷的种类。
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