[发明专利]带介电薄膜的基板及使用其的光调制元件在审
| 申请号： | 201780044606.7 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN109477985A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木权治;岩塚信治 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02B6/12;G02F1/035 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种带介电薄膜的基板，即使在将铌酸锂膜的膜厚增厚至例如1μm以上的情况下，也难以产生裂纹。本发明的带介电薄膜的基板具备：单晶基板(2)；介电薄膜(3)，其由外延形成于单晶基板(2)的主面(2a)的c轴取向的铌酸锂构成。介电薄膜(3)具有包含第一结晶和以c轴为中心使第一结晶进行了180°旋转得到的第二结晶的双晶结构，X射线衍射法进行的极点测定中，对应于第一结晶的第一衍射强度与对应于第二结晶的第二衍射强度之比为0.5以上且2.0以下。由此，容易缓和蓄积于铌酸锂膜内部的应变，因此可抑制伴随膜厚增加的裂纹的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 介电薄膜 基板 单晶基板 铌酸锂膜 膜厚 衍射 光调制元件 双晶结构 铌酸锂 极点 增厚 主面 蓄积 缓和 | ||
【主权项】：
1.一种带介电薄膜基板，其特征在于，具备：单晶基板；和介电薄膜，其由外延形成于所述单晶基板的主面的c轴取向的铌酸锂构成，所述介电薄膜的膜厚为1000nm以上，所述介电薄膜具有包含第一结晶和使所述第一结晶以c轴为中心旋转180°得到的第二结晶的双晶结构，由X射线衍射法进行的极点测定中，对应于所述第一结晶的第一衍射强度与对应于所述第二结晶的第二衍射强度之比为0.5以上且2.0以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780044606.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发射器和偏置调整方法
- 下一篇：调光膜、调光构件、车辆、调光膜的供电方法
