[发明专利]单一氧化物金属沉积腔室

摘要

本文所描述实现大体涉及处理腔室中的金属氧化物沉积。更特定地，本文所公开的实现涉及组合的化学气相沉积和物理气相沉积腔室。使用单一氧化物金属沉积腔室，能够执行CVD及PVD两者以有利地减小均匀半导体处理的成本。此外，所述单一氧化物金属沉积系统减小沉积半导体基板所必要的时间，且减小处理半导体基板所需要的占用面积。在一个实现中，所述处理腔室包含设置在腔室主体中的气体分配平板、设置在所述腔室主体中的一个或更多个金属靶以及设置在所述气体分配平板和一个或更多个靶下方的基板支撑件。

主权项

1.一种沉积腔室，包括：气体分配平板，所述气体分配平板设置在腔室主体中；一个或更多个金属靶，所述一个或更多个金属靶设置在所述腔室主体中；及基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述气体分配平板或所述一个或更多个金属靶下方。