[发明专利]半导体芯片

摘要

半导体芯片(1)具有第一块(100)和第二块(400)，第一块(100)包括具有纳米线FET的标准单元(110)，第二块(400)包括纳米线FET。在第一块和第二块(100、400)中，沿X方向延伸的纳米线(111、411)在Y方向上的布置中心间距是中心间距P1的整数倍，焊盘(112，412)在X方向上的布置中心间距是中心间距P2的整数倍。由此对采用了纳米线FET的半导体芯片提供对制造的容易化有效的版图结构。

主权项

1.一种半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片具有第一块和第二块，所述第一块包括具有纳米线FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)的标准单元，所述第二块包括纳米线FET，所述第一块和所述第二块所包括的纳米线FET分别具有：沿第一方向延伸的一条或并排设置的多条纳米线；一对焊盘，一对所述焊盘分别设在所述纳米线的所述第一方向上的两端且下表面位于比所述纳米线的下表面低的位置上，并与所述纳米线相连接；以及栅极电极，所述栅极电极沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，且被设为在所述纳米线的所述第一方向上的规定范围内包围所述纳米线的周围，在所述第一块和所述第二块中，所述纳米线在所述第二方向上的布置中心间距是规定的第一中心间距的整数倍，所述焊盘在所述第一方向上的布置中心间距是规定的第二中心间距的整数倍。