[发明专利]下层抗反射膜形成用组合物有效
| 申请号： | 201780047416.0 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109564388B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 仁川裕;高市哲正;河户俊二;片山朋英 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘卓然 |
| 地址： | 卢森堡国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | [要解决的问题]本发明提供一种下层抗反射膜形成用组合物，其显现高的蚀刻耐受性，即使在比较低的温度也可交联。本发明进一步提供一种使用了该下层抗反射膜形成用组合物的抗蚀图案以及器件的制造方法。[方案]提供了一种下层抗反射膜形成用组合物、以及使用了其的抗蚀图案以及器件的制造方法，所述下层抗反射膜形成用组合物包含以下的成分：包含特定的重复单元的聚合物A、分子量100～3,000的低分子交联剂、以及溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 下层 反射 形成 组合 | ||
【主权项】：
1.一种下层抗反射膜形成用组合物，其包含聚合物A、分子量100～3,000的低分子交联剂、以及溶剂，所述聚合物A包含下述式(I)的重复单元、以及下述(II)的重复单元，【化学式1】![]()
式中，R1为氢、C1～6烷基、卤素或者氰基，R2为C1～6烷基、羟基、卤素或者氰基，p为0、1、2、3或4，R3为氢、C1～6烷基、卤素或者氰基，R4为C1～6烷基、卤素或者氰基，q为0、1、2、3、4或5。
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