[发明专利]SiC加热器有效
| 申请号： | 201780047519.7 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109565906B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 长友大朗;内川雄贵;村上嘉彦 | 申请（专利权）人： | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B3/14 | 分类号： | H05B3/14;C03C3/06;C03C3/085;C03C3/087;C03C3/089;C03C3/091;C04B35/569;C04B41/86;H05B3/12;H05B3/20 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种SiC加热器，其具备：发热体，具有薄板状碳化硅烧结体和形成于所述碳化硅烧结体的表面的绝缘被膜；一对电极，用于对所述发热体进行通电；及加热器底座，阻断来自所述发热体的热，并且从一表面侧保持所述发热体，所述绝缘被膜位于所述碳化硅烧结体的与所述加热器底座相反的一侧的表面，常温下的电阻率为10 |
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| 搜索关键词： | sic 加热器 | ||
【主权项】：
1.一种SiC加热器，其具备：发热体，具有薄板状碳化硅烧结体和形成于所述碳化硅烧结体的表面的绝缘被膜；一对电极，用于对所述发热体进行通电；及加热器底座，阻断来自所述发热体的热，并且从一表面侧保持所述发热体，所述绝缘被膜位于所述碳化硅烧结体的与所述加热器底座相反的一侧的表面，所述绝缘被膜在常温下的电阻率为109Ω·cm以上，所述绝缘被膜的热膨胀率为2×10‑6/K以上且6×10‑6/K以下，所述绝缘被膜将SiO2设为基质，所述绝缘被膜含有包含B2O3及Al2O3中的至少一种的第1添加成分，所述第1添加成分的比例相对于所述绝缘被膜的总重量为1重量％以上且35重量％以下，所述绝缘被膜含有包含MgO及CaO中的至少1种的第2添加成分，所述第2添加成分的比例相对于所述绝缘被膜的总重量为1重量％以上且35重量％以下。
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