[发明专利]离子束电荷转换装置的旋转式电荷转换膜以及离子束电荷转换方法在审
| 申请号： | 201780048733.4 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109564789A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 村上睦明;立花正满;多多见笃;长谷部裕雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化;国立研究开发法人理化学研究所 |
| 主分类号： | G21K1/14 | 分类号： | G21K1/14;C01B32/182;G21K1/00;G21K5/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于，提供耐热性高、无毒性、无需担心放射性活化、并且即使膜厚较薄也能使离子束多价化、且能够长期耐受高能量的射束照射的离子束电荷转换装置的电荷转换膜。一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由25℃下的膜面方向的热导率为20W/mK以上的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。另外，一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由利用高分子烧成法制造的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷转换膜 离子束 碳膜 电荷转换 旋转式 膜厚 电荷 耐热性 膜面方向 转换 高能量 热导率 烧成法 无毒性 活化 耐受 射束 放射性 照射 制造 | ||
【主权项】：
1.一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由25℃下的膜面方向的热导率为20W/mK以上的碳膜形成，该碳膜的膜厚为0.2μm以上且低于10μm。
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