[发明专利]镍-锡微凸块结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201780049772.6 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109564897B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | R·贾因;K·O·李;A·E·舒克曼;S·S·卓 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/498;H01L23/485 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于在集成电路封装衬底上提供与表面水平微凸块的有效连接的技术和机制。在实施例中，以各种方式对不同的金属进行电镀以形成微凸块，所述微凸块穿过衬底的表面水平电介质延伸到包括铜的种子层。微凸块包括镍和锡，其中镍有助于减轻种子层铜的吸收。在另一个实施例中，微凸块具有锡的质量分数或镍的质量分数，其在沿着微凸块的高度的各个区域中是不同的。 | ||
| 搜索关键词： | 锡微凸块 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)封装衬底，包括：电介质层，所述电介质层具有形成在其中的通路孔；子表面水平金属层，所述子表面水平金属层包括铜接触部，每个铜接触部暴露于相应的一个通路孔，所述铜接触部包括第一铜接触部；沉积在所述第一铜接触部上的第一种子层，所述第一种子层包括铜；以及形成在第一种子层上的第一微凸块，所述第一微凸块包括锡和镍。
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