[发明专利]包含进行了缩醛保护的硅烷醇基的聚硅氧烷组合物有效
| 申请号： | 201780049797.6 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109563371B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 远藤勇树;谷口博昭;中岛诚 | 申请（专利权）人： | 日产化学株式会社 |
| 主分类号： | C09D183/04 | 分类号： | C09D183/04;C08G77/38;G03F7/038;G03F7/075;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 马妮楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供可以作为在被加工基板上形成平坦的膜而进行图案反转的被覆组合物、感光性组合物来利用的包含进行了缩醛保护的聚硅氧烷的组合物。解决手段是一种被覆组合物或感光性组合物，其包含聚硅氧烷，上述聚硅氧烷是将水解缩合物所具有的硅烷醇基进行缩醛保护而获得的，所述水解缩合物是分子内具有2～4个水解性基的水解性硅烷的水解缩合物，该水解缩合物的以Si‑C键与硅原子结合的有机基平均以0≤(该有机基)/(Si)≤0.29的摩尔比比例存在。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上形成抗蚀剂膜的工序(A)；将上述抗蚀剂膜曝光，在曝光后将抗蚀剂显影而获得抗蚀剂图案的工序(B)；在被图案化了的抗蚀剂膜上涂布本件被覆用组合物而埋入聚硅氧烷的工序(C)；使埋入的该聚硅氧烷固化后，对抗蚀剂膜进行蚀刻而将图案反转的工序(D)；使用聚硅氧烷膜对基板进行加工的工序(E)。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 进行 保护 硅烷 聚硅氧烷 组合 | ||
【主权项】：
1.一种被覆组合物或感光性组合物，其包含聚硅氧烷，所述聚硅氧烷是将水解缩合物所具有的硅烷醇基进行缩醛保护而获得的，所述水解缩合物是分子内具有2～4个水解性基的水解性硅烷的水解缩合物，该水解缩合物的以Si‑C键与硅原子结合的有机基平均以0≤(该有机基)/(Si)≤0.29的摩尔比比例存在。
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C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09D 涂料组合物，例如色漆、清漆或天然漆；填充浆料；化学涂料或油墨的去除剂；油墨；改正液；木材着色剂；用于着色或印刷的浆料或固体；原料为此的应用
C09D183-00 基于由只在主链中形成含硅的、有或没有硫、氮、氧或碳键反应得到的高分子化合物的涂料组合物；基于此种聚合物衍生物的涂料组合物
C09D183-02 .聚硅酸酯
C09D183-04 .聚硅氧烷
C09D183-10 .含有聚硅氧烷链区的嵌段或接枝共聚物
C09D183-14 .其中至少两个，但不是所有的硅原子与氧以外的原子连接
C09D183-16 .其中所有的硅原子与氧以外的原子连接
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