[发明专利]具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780049906.4 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN109564933B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 金桢一 | 申请（专利权）人： | 韩国东海炭素株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02;H01L21/3213;H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的一个实施例，提供具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其包括：两个以上被叠层的层，且所述被叠层的层的各层包括SiC，与相邻的其他层具有不同的透射率值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 透射率 不同 多个层 sic 半导体 制造 部件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其包括：两个以上被叠层的层，且所述被叠层的层的各层包括SiC，与相邻的其他层具有不同的透射率值。
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