[发明专利]电阻率标准样本的制造方法以及磊晶晶圆的电阻率测定方法有效
| 申请号： | 201780050016.5 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN109643669B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 久米史高 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N27/00;G01N27/04;G01N27/22 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻率标准样本的制造方法，包含第一导电型单晶硅基板的准备步骤、使用有对国家标准的追溯性的厚度测定机器测定单晶硅基板的厚度的步骤、将第二导电型硅磊晶层于第一导电型单晶硅基板上成长而制作具有p‑n接面的磊晶晶圆的步骤、使用有对国家标准的追溯性的厚度测定机器测定磊晶晶圆的厚度的步骤、自磊晶晶圆的厚度与单晶硅基板的厚度求得硅磊晶层的厚度的步骤、以及使用有对电阻率标准物质的追溯性的电阻率测定机器的磊晶层的电阻率测定步骤。该电阻率标准样本的制造方法能够制造对电阻率标准物质(例如NIST)有追溯性的电阻率标准样本。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 标准 样本 制造 方法 以及 磊晶晶圆 测定 | ||
【主权项】：
1.一种电阻率标准样本的制造方法，包含：准备步骤，准备第一导电型单晶硅基板；基板厚度测定步骤，使用以有对国家标准的追溯性的标准块规所校正的厚度测定机器，测定该第一导电型单晶硅基板的厚度；气相沉积步骤，将具有与该第一导电型为相反导电型的第二导电型的第二导电型硅磊晶层予以于该第一导电型单晶硅基板上成长，而制作具有p‑n接面的磊晶晶圆；磊晶晶圆厚度测定步骤，使用该厚度测定机器而测定该磊晶晶圆的厚度；厚度求取步骤，自该磊晶晶圆的厚度与该第一导电型单晶硅基板的厚度而求得该第二导电型硅磊晶层的厚度；以及电阻率测定步骤，使用以有对电阻率标准物质的追溯性的电阻率测定机器而测定该硅磊晶层的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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