[发明专利]高密度、低应力非晶碳膜及其沉积方法和设备有效
| 申请号： | 201780050740.8 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109642312B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘菁菁;华忠强;阿道夫·米勒·艾伦;迈克尔·W·斯托威尔;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;殷正操;巴尔加夫·西特拉;维加斯拉夫·巴巴扬;安德烈·哈莱比卡 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/34;H01J37/34 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种沉积非晶碳膜包括至少95％碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳‑碳键的百分比超过30％，且此非晶碳膜的氢含量小于5％。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件和将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处理腔室。此方法进一步包括提供碳靶材，使得此磁场延伸通过此碳靶材朝向此工件。此方法进一步包括提供源气体至此处理腔室，和提供DC功率脉冲至在此处理腔室内由此源气体形成的等离子体。此DC功率脉冲被以40微秒或更小的脉冲供应，以至少4kHz的频率重复。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 应力 非晶碳膜 及其 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种沉积膜，其中：所述沉积膜是非晶碳膜，包含至少95％碳；存在于所述非晶碳膜中的sp3碳‑碳键的百分比超过30％；和所述非晶碳膜的氢含量小于5％。
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