[发明专利]MEMS设备和方法有效
| 申请号： | 201780051436.5 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109644308B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | S·杜菲;C·R·詹金斯;T·H·胡克斯特拉 | 申请（专利权）人： | 思睿逻辑国际半导体有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 陈璐;郑建晖 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种MEMS换能器，包括：一个导电材料层，所述导电材料层设置在一个膜材料层的表面上。所述导电材料层包括第一区域和第二区域，其中所述/每个第一区域和所述/每个第二区域的厚度和/或电导率是不同的。 | ||
| 搜索关键词： | mems 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS换能器，包括：一个基底，所述基底具有一个腔；一个膜材料层，所述膜材料层相对于所述基底设置，其中所述膜材料在所述腔上方延伸；一个导电材料层，所述导电材料层设置在所述膜材料层的表面上；所述导电材料层包括至少一个第一区域和至少一个第二区域，所述第一区域具有第一厚度和第一电导率，所述第二区域具有第二厚度和第二电导率，其中所述/每个第一区域和所述/每个第二区域的厚度和/或电导率是不同的。
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