[发明专利]贴合用基板的表面缺陷的评价方法有效
| 申请号： | 201780051581.3 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109643670B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 佐藤一弥;桥本浩昌;西泽毅;堀江启贵 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/956 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为一种贴合用基板的表面缺陷的评价方法，包含以下步骤：准备经镜面加工的单晶硅基板；检查经镜面加工的单晶硅基板的表面缺陷；于进行过单晶硅基板的缺陷检查的表面堆积多晶硅层；对经堆积有多晶硅层的单晶硅基板进行镜面倒角；研磨多晶硅层的表面；检查经研磨的多晶硅层的表面缺陷；以及比较检查单晶硅基板的表面缺陷的步骤中与检查多晶硅层的表面缺陷的步骤中所检测出的缺陷的坐标，以有无于同一位置的缺陷，对具有多晶硅层的单晶硅基板进行作为贴合用基板的良莠判定。 | ||
| 搜索关键词： | 贴合 用基板 表面 缺陷 评价 方法 | ||
【主权项】：
1.一种贴合用基板的表面缺陷的评价方法，包含以下步骤：准备经镜面加工的单晶硅基板；检查该经镜面加工的单晶硅基板的表面缺陷；于经进行该单晶硅基板的缺陷检查的表面堆积多晶硅层；对经堆积多晶硅层的该单晶硅基板进行镜面倒角；研磨该多晶硅层的表面；检查经研磨的该多晶硅层的表面缺陷；以及比较检查该单晶硅基板的表面缺陷的步骤中与检查该多晶硅层的表面缺陷的步骤中所检测出的缺陷的坐标，以有无于同一位置的缺陷，对具有多晶硅层的该单晶硅基板进行作为贴合用基板的良莠判定。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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