[发明专利]外延硅晶片的制造方法、外延硅晶片及固体摄像元件的制造方法

摘要

本发明提供一种通过发挥更高的吸杂能力而能够抑制金属污染的外延硅晶片及其制造方法。具有硅晶片(10)、硅晶片(10)上的第1硅外延层(12)、对第1硅外延层(12)的表层部注入碳而成的第1改性层(14)以及第1改性层(14)上的第2硅外延层(16)的外延硅晶片(100)的制造方法的特征在于：将形成第2硅外延层(16)之后的、第1改性层(14)中的氧浓度分布的峰浓度设为2×1017atoms/cm3以下，且将第2硅外延层(16)的氧浓度设为SIMS检测下限值以下。

主权项

1.一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，在硅晶片上形成第1硅外延层；第2工序，对所述第1硅外延层照射包含碳的第1离子，而形成对所述第1硅外延层的表层部注入所述碳而成的第1改性层；以及第3工序，在所述第1改性层上形成第2硅外延层；并且在所述第3工序之后，获得所述第1改性层中的氧浓度分布的峰浓度为2×10¹⁷atoms/cm³以下，且所述第2硅外延层的氧浓度为2×10¹⁶atoms/cm³以下的外延硅晶片。