[发明专利]具有局部氧化物的全包围栅极装置架构

摘要

描述了用于制造非平面装置同时管理短沟道和热效应的装置和方法。一种半导体装置制造工艺包括形成非平面装置，其中所述装置(610)的主体与硅衬底(105)绝缘，但源极和漏极区域不与所述硅衬底绝缘。所述工艺建立局部绝缘体上硅(SOI)，而不使所述源极和漏极区域周围的区域与所述硅衬底绝缘。蚀刻沟槽，所述沟槽的长度至少是所述装置的沟道长度，同时以源极区域的位置和漏极区域的位置为界。所述沟槽填充相对厚层(110,205,305)以形成所述局部SOI。当栅极的纳米线(610)驻留在填充有层的沟槽的顶部上时，向顶部层中蚀刻第二沟槽，以将栅极金属(1105)沉积在所述第二沟槽中。

主权项

1.一种半导体装置制造工艺，其包括：在硅衬底中蚀刻第一沟槽，其中所述第一沟槽的长度至少是所述装置的沟道长度并且以源极区域的位置和漏极区域的位置为界；在所述第一沟槽的顶部上至少形成氧化物层；将半导体层的堆叠置于所述氧化物层和硅衬底两者的顶部上，其中所述堆叠包括在至少两种类型的半导体层之间交替的多个半导体层，并且所述堆叠的底部在所述第一沟槽的任一侧上与所述硅衬底进行接触；从所述堆叠中创建鳍图案；从所述堆叠中除去除了第一类型之外的任何类型的半导体层的一部分，其中所述部分具有大约等于所述沟道长度的长度，并且其中所述第一类型的半导体层在所述装置的栅极区域中形成纳米线；以及在所述栅极区域中的所述纳米线上形成硅层、二氧化硅层和高k膜。