[发明专利]磁壁利用型模拟存储元件、磁壁利用型模拟存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元件有效
| 申请号： | 201780052563.7 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109643690B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生;柴田龙雄 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H01L27/105;H01L29/82;H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施方式的磁壁利用型模拟存储元件具备磁化沿第一方向取向的磁化固定层(1)、设置于磁化固定层(1)的一面的非磁性层(2)、相对于磁化固定层(1)夹着非磁性层(2)设置的磁壁驱动层(3)、向磁壁驱动层(3)供给沿第一方向取向的磁化的第一磁化供给单元(4)及供给沿与第一方向相反的第二方向取向的磁化的第二磁化供给单元(5)，第一磁化供给单元(4)及第二磁化供给单元(5)中至少一方是与磁壁驱动层(3)相接且沿相对于磁壁驱动层(3)交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 模拟 存储 元件 存储器 非易失性 逻辑电路 神经 | ||
【主权项】：
1.一种磁壁利用型模拟存储元件，其中，具备：磁化固定层，其磁化沿第一方向取向；非磁性层，其设于所述磁化固定层的一面；磁壁驱动层，其相对于所述磁化固定层夹着所述非磁性层而设置；以及第一磁化供给单元和第二磁化供给单元，所述第一磁化供给单元向所述磁壁驱动层供给沿所述第一方向取向的磁化，所述第二磁化供给单元向所述磁壁驱动层供给沿与所述第一方向相反的所述第二方向取向的磁化，所述第一磁化供给单元和所述第二磁化供给单元中的至少一方是与所述磁壁驱动层相接且沿相对于所述磁壁驱动层交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线。
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