[发明专利]激光照射装置有效
| 申请号： | 201780052577.9 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN109643648B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 铃木祐辉 | 申请（专利权）人： | JSW阿克迪纳系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;B65G49/06;H01L21/20;H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 日本国神奈川县横*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种实施方式的激光照射装置(1)中，第一和第二浮起单元(30a，30b)中的每一个均包括底部(31)以及通过粘合层(34)粘合于底部(31)上表面的多孔板(32)，底部(31)包括在至少面向所述间隙的外周上向上突起的耸起部分(312)，多孔板(32)包括设置为与耸起部分(312)形状相配合的切口部分(321)，粘合层(34)沿与切口部分(321)形状相配合的耸起部分(312)的内壁形成。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 照射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种激光照射装置，其特征在于，包括：第一和第二浮起单元，所述第一和第二浮起单元中的每一个用于向上吹气并将板状的一工件浮起，且所述第一和第二浮起单元以一预定间隔对齐；以及一激光照射单元，用于以激光束从所述第一浮起单元和所述第二浮起单元之间的间隙的上方照射所述工件，所述工件被浮起并从所述第一浮起单元向所述第二浮起单元传送，其中，所述第一和第二浮起单元中的每一个均包括：一底部；以及一多孔板，通过一粘合层粘合至所述底部的一上表面，所述底部包括在至少面向所述间隙的外周上向上突起的一耸起部分，所述多孔板包括设置为与所述耸起部分形状相配合的一切口部分，所述粘合层沿所述耸起部分的一内壁形成，其中，所述耸起部分与所述切口部分相配合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JSW阿克迪纳系统有限公司，未经JSW阿克迪纳系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780052577.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
