[发明专利]传感器芯片和电子装置在审
申请号: | 201780053235.9 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN109643722A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 田中章;大竹悠介;若野寿史 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/107 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种摄像装置包括具有像素阵列的传感器基板,像素阵列包括至少一个第一像素。第一像素包括雪崩光电二极管,雪崩光电二极管包括光接收区域、阴极和阳极。第一像素包括配线层,配线层电连接到阴极并且布置在传感器基板中,使得配线层位于入射光的离开光接收区域的路径中。 | ||
搜索关键词: | 配线层 像素 雪崩光电二极管 阴极 传感器基板 光接收区域 像素阵列 传感器芯片 阳极 电子装置 摄像装置 电连接 入射光 | ||
【主权项】:
1.一种摄像装置,其包括:传感器基板,其包括具有至少一个第一像素的像素阵列,所述第一像素包括:雪崩光电二极管,其包括光接收区域、阴极和阳极;和配线层,其电连接到所述阴极并且布置在所述传感器基板中,使得所述配线层位于入射光的离开所述光接收区域的路径中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的