[发明专利]高性能超导体带材的质量控制在审
| 申请号： | 201780053387.9 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109690797A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 戈兰·马吉克;文卡特·塞尔瓦马尼卡姆 | 申请（专利权）人： | 休斯敦系统大学 |
| 主分类号： | H01L39/00 | 分类号： | H01L39/00;H01B12/00;H01F6/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超导体带材及其制造、测量、监视和控制方法。实施例针对于一种超导体带材，其包括覆盖在缓冲层上方的超导体膜，所述缓冲层覆盖在衬底上方。在一个实施例中，超导体膜被定义为具有高于11.74埃的c轴晶格常数。在另一个实施例中，超导体膜包括BaMO3，其中M＝Zr、Sn、Ta、Nb、Hf或Ce，并且具有沿着从超导体膜的(001)峰的轴起在60°至90°之间的轴延伸的BaMO3的(101)峰。这些和其它实施例实现了良好对齐的纳米柱状缺陷，并且因此实现高提升因子，这可以形成带材在例如高磁场中的优异临界电流性能。 | ||
| 搜索关键词： | 超导体膜 超导体带材 缓冲层 临界电流性能 晶格常数 纳米柱状 对齐 高磁场 轴延伸 质量控制 衬底 带材 覆盖 测量 监视 制造 | ||
【主权项】：
1.一种超导体带材，包括：衬底；缓冲层，覆盖在所述衬底上方；以及超导体膜，覆盖在所述缓冲层上方；其中所述超导体膜被定义为具有高于11.74埃的c轴晶格常数。
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