[发明专利]用于原子层蚀刻(ALE)的终点检测算法在审
| 申请号： | 201780053849.7 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109643673A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈艳;田新康;贾森·弗恩斯 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;席兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述的是用于确定从等离子体处理系统获取的光发射光谱(OES)数据的终点的架构、平台和方法。所述OES数据例如包括吸附步骤过程、解吸步骤过程或其组合。在该示例中，所述OES数据在终点确定之前经受信号同步和瞬态信号滤波，这可以通过应用移动平均滤波器来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 步骤过程 等离子体处理系统 蚀刻 光发射光谱 平均滤波器 瞬态信号 信号同步 应用移动 终点检测 终点确定 原子层 解吸 滤波 吸附 算法 架构 | ||
【主权项】：
1.一种用于确定等离子体处理系统中的过程终点数据的方法，其包括：接收来自所述等离子体处理系统的对基板执行多步骤等离子体过程的等离子体处理室的光学发射光谱(OES)数据，其中循环多步骤等离子体过程包括循环重复的至少两个过程步骤；确定所述所接收的OES数据的第一静止部分，所述第一静止部分是所述多步骤等离子体过程的经滤波的过程步骤的平均值；以及确定所确定的第一静止部分的第一终点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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