[发明专利]用电子束柱阵列测量叠对及边缘放置误差有效
申请号: | 201780054143.2 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN109690747B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | M·尼尔;F·拉斯克 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文中呈现用电子束柱阵列来对多个裸片执行测量的方法及系统。沿与安置于晶片上的裸片行平行的方向扫描所述晶片。所述电子束测量柱沿柱对准方向在空间上分隔开。沿相对于所述柱对准方向以倾斜角定向的方向扫描所述晶片,使得在同一晶片通过期间每一电子束柱测量不同裸片上的相同裸片特征行。所述晶片是通过旋转所述晶片、旋转所述电子束柱或其两者而相对于所述电子束柱阵列定向。在其它方面中,使每一测量束偏转以校正每一柱与待测量的所述对应裸片行之间的对准误差且校正由晶片定位系统报告的晶片定位误差。 | ||
搜索关键词: | 用电 子束柱 阵列 测量 边缘 放置 误差 | ||
【主权项】:
1.一种计量系统,其包括:多个电子束测量柱,其各自沿着第一方向与所述多个电子束测量柱中的邻近电子束测量柱在空间上分隔开固定距离,每一电子束测量柱包含:电子束源,其经配置以产生初级电子束;束偏转器,其经配置以调整所述初级电子束到经受测量的样品上的入射位置;及检测器,其经配置以检测响应于所述入射的初级电子束而来自所述样品的次级电子且基于所述所检测次级电子而产生输出信号;样品定位子系统,其经配置以沿与安置于样品上的裸片行对准的第二方向扫描所述样品,其中所述第一方向相对于所述第二方向以倾斜角定向,使得所述多个电子束柱中的每一者对不同裸片行的相同特征行执行一维测量;及计算系统,其经配置以:接收由所述电子束测量柱中的每一者产生的所述输出信号;且基于所述输出信号而估计叠对值、边缘放置误差值或其两者。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780054143.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造