[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780054144.7 申请日: 2017-08-28
公开(公告)号: CN109661696B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 松木园广志 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G09F9/00 分类号: G09F9/00;G02F1/133;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/30;H01L29/786
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;刘宁军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 有源矩阵基板(1001)具有多个像素区域,至少1个像素区域包含像素TFT(20)、像素电极(15)、第1电路TFT(10)以及连接到第1电路TFT的驱动电路配线(L1~L3),像素TFT(10)和第1电路TFT(20)是氧化物半导体TFT,像素电极(15)由上部透明导电膜形成,驱动电路配线包含透明配线部(L1、L2),透明配线部(L1、L2)由位于比上部透明导电膜靠基板(1)侧的下部透明导电膜形成,第1电路TFT(10)的源极电极(8)和漏极电极(9)中的至少一方由下部透明导电膜形成。
搜索关键词: 有源 矩阵 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种有源矩阵基板,具有包含多个像素区域的显示区域,其特征在于,上述显示区域具有:基板;多个栅极总线,其在上述基板上由第1金属膜形成;多个源极总线,其在上述基板上由第2金属膜形成;以及驱动电路,其支撑于上述基板,上述驱动电路包含第1电路TFT,上述多个像素区域中的每一个像素区域包含像素TFT和连接到上述像素TFT的像素电极,上述多个像素区域中的至少1个像素区域还包含上述第1电路TFT和连接到上述第1电路TFT的驱动电路配线,上述像素TFT和上述第1电路TFT分别是氧化物半导体TFT,包含:栅极电极;氧化物半导体层;栅极绝缘层,其配置在上述栅极电极与上述氧化物半导体层之间;以及源极电极和漏极电极,其电连接到上述氧化物半导体层,上述像素TFT的上述漏极电极与上述像素电极电连接,上述像素TFT的上述栅极电极电连接到上述多个栅极总线中的任意一个栅极总线,上述像素TFT的上述源极电极电连接到上述多个源极总线中的任意一个源极总线,上述像素电极由上部透明导电膜形成,上述驱动电路配线包含透明配线部,上述透明配线部由位于比上述上部透明导电膜靠上述基板侧的下部透明导电膜形成,上述第1电路TFT的上述源极电极和上述漏极电极中的至少一方由上述下部透明导电膜形成。
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