[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，其包括：准备在表面具有连接端子(30)的多个半导体芯片(40)被埋入于封装材料(10)的内部而成的结构体的工序；在结构体中埋入有半导体芯片(40)的连接端子(30)的一侧的表面上的区域形成第1绝缘性树脂膜(60)的工序；在第1绝缘性树脂膜(60)和结构体形成使连接端子(30)的一部分露出的第1开口部(250)的工序；以覆盖露出的连接端子(30)和第1绝缘性树脂膜(60)的方式形成导电膜(110)的工序；和在导电膜(110)的表面形成第2绝缘性树脂膜(70)，在第2绝缘性树脂膜(70)形成使导电膜(110)的一部分露出的第2开口部(300)的工序。在形成第2开口部(300)的工序中，在第2绝缘性树脂膜(70)中形成于半导体芯片(40)上的区域的外部形成第2开口部(300)。并且，上述制造方法的特征在于，作为构成第1绝缘性树脂膜(60)的树脂材料，使用含有碱溶性树脂的感光性树脂组合物，并且对于由该感光性树脂组合物构成的液滴，通过悬滴法测得的该液滴的表面张力在20mN/m以上45mN/m以下。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备在表面具有连接端子的多个半导体芯片被埋入于封装材料的内部而成的结构体的工序；在所述结构体中配设有所述半导体芯片所设置的连接端子的一侧的表面上区域形成第1绝缘性树脂膜的工序；在所述第1绝缘性树脂膜和所述结构体形成使所述连接端子的一部分露出的第1开口部的工序；以覆盖露出的所述连接端子和所述第1绝缘性树脂膜的至少一部分的方式形成导电膜的工序；在所述导电膜的表面形成第2绝缘性树脂膜的工序；和在所述第2绝缘性树脂膜中形成于所述半导体芯片上的区域的外部形成使所述导电膜的一部分露出的第2开口部的工序，构成所述第1绝缘性树脂膜的树脂材料是含有碱溶性树脂的感光性树脂组合物，通过悬滴法测得的由所述感光性树脂组合物构成的液滴的表面张力为20mN/m以上45mN/m以下。