[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
申请号: | 201780054941.5 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN109690405B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 西田登喜雄;坂本力丸 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11;C08F220/18;C08F220/24;C08F220/36;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;李照明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含:具有下述式(1)~式(3)所示的结构单元的共聚物、交联剂、有机酸催化剂、以及溶剂。(式中,R |
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搜索关键词: | 抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】:
1.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含:具有下述式(1)~式(3)所示的结构单元的共聚物,交联剂,有机酸催化剂,以及溶剂;
式中,R1各自独立地表示氢原子或甲基,R2表示碳原子数1~3的亚烷基,A表示保护基,R3表示具有四元环~七元环的内酯骨架、金刚烷骨架、三环癸烷骨架或降冰片烷骨架的有机基,R4表示至少1个氢原子被氟基取代、并且还可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数1~12的直链状、支链状或环状的有机基。
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