[发明专利]MEMS换能器、电子设备和集成电路有效
| 申请号： | 201780055026.8 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109691133B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | E·J·博伊德 | 申请（专利权）人： | 思睿逻辑国际半导体有限公司 |
| 主分类号： | H04R7/18 | 分类号： | H04R7/18;H04R19/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 关丽丽;郑建晖 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请描述了MEMS换能器，包括：一个柔性膜层，所述柔性膜层沿着至少一个支撑边缘以相对于基底固定的关系被支撑，其中穿过所述膜层设置多个缝。所述缝限定多个梁。每个梁限定一个路径，所述路径位于所述梁的第一端点和第二端点之间，所述路径包括至少一个方向改变。还描述了换能器，其中所述膜层沿着多个支撑边缘以相对于基底固定的关系被支撑，所述多个支撑边缘限定一个大体上由所述支撑边缘定界的膜区域。 | ||
| 搜索关键词： | mems 换能器 电子设备 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS换能器，包括：一个柔性膜层，所述柔性膜层沿着至少一个支撑边缘以相对于基底固定的关系被支撑，其中在所述支撑边缘和所述膜层的中心区域之间穿过所述膜层设置多个缝，所述缝限定多个梁，每个梁限定一个位于所述梁的第一端点和第二端点之间的路径，所述路径包括至少一个方向改变。
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