[发明专利]用于测量高纵横比结构的红外光谱反射计

摘要

在本文中呈现用于在红外波长下执行半导体结构的光谱反射测量的方法及系统。在一些实施例中，采用横跨从750纳米到2,600纳米或更大的范围的测量波长。在一个方面中，在倾斜角下执行反射测量以降低背侧反射对测量结果的影响。在另一方面中，由包含具有不同敏感度特性的多个光敏区的检测器检测宽广红外波长范围。根据波长跨越所述检测器的表面线性地分散所收集光。每一不同光敏区布置于所述检测器上以感测不同入射波长范围。以此方式，由单个检测器以高信噪比检测宽广波长范围。

主权项

1.一种计量系统，其包括：红外光谱反射计，其包含：一或多个照射源，其经配置以产生包含横跨从750纳米到2,600纳米的范围的波长的一定量的宽带照射光；照射光学器件子系统，其经配置而以一或多个入射角、一或多个方位角或其组合将所述一定量的照射光从所述照射源引导到受测量的样品的表面上的测量光点；收集光学器件子系统，其经配置以从所述样品的所述表面上的所述测量光点收集一定量的所收集光；至少一个检测器，其具有对入射光敏感的平面二维表面，其中所述至少一个检测器包含各自具有不同光敏性的两个或多于两个不同表面区，其中所述两个或多于两个不同表面区跨越所述至少一个检测器的所述表面与波长分散方向对准，所述至少一个检测器经配置以检测所述入射光且产生指示所述所检测到的入射光的输出；及计算系统，其经配置以基于对所述至少一个检测器的所述输出的分析而产生受测量的所述样品的所关注参数的所估计值。