[发明专利]用于制造半导体结构的方法、光子器件有效
| 申请号： | 201780056607.3 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109716185B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 比什-因·阮;格维塔兹·戈丹 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟;李辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造半导体结构的方法和光子器件，其中，方法包括以下步骤：在载体衬底(101)上方设置氮化硅构图层(102)；在氮化硅构图层(102)上设置第一保形氧化物层(103)，使得其完全覆盖所述氮化硅构图层；以及将第一保形氧化物层(103)平面化至氮化硅构图层(102)上方的预定厚度，以形成平面化氧化物层(103’)。在将第一保形氧化物层(103)平面化的步骤之后，方法还包括以下步骤：清洁氮化硅构图层(102)以形成具有凹陷高度的凹陷氮化硅构图层(102’)；并且随后，在凹陷氮化硅层(102’)上或上方设置第二保形氧化物层(104)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 结构 方法 光子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：在载体衬底(101)上方设置氮化硅构图层(102)，具体地其中，所述氮化硅构图层形成无源器件；在所述氮化硅构图层(102)上，具体地直接在所述氮化硅构图层上，设置第一保形氧化物层(103)，使得其完全覆盖所述氮化硅构图层；以及将所述第一保形氧化物层(103)平面化至所述氮化硅构图层(102)上方的预定厚度，以形成平面化氧化物层(103’)；该方法的特征在于：在将所述第一保形氧化物层(103)平面化的步骤之后，所述方法还包括以下步骤：清洁所述氮化硅构图层(102)，以形成具有凹陷高度的凹陷氮化硅构图层(102’)；以及随后，在所述凹陷氮化硅构图层(102’)上或上方设置第二保形氧化物层(104)。
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