[发明专利]激光烧蚀介电材料在审
| 申请号： | 201780056729.2 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN109716485A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | C·R·马托斯-佩瑞兹;T·D·弗雷姆;A·O·索瑟德;L·M·柯克纳;D·布鲁门夏因 | 申请（专利权）人： | 布鲁尔科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;郭辉 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出了用于激光烧蚀图案化的具有最佳机械性能的介电材料。这些材料包括选自下组的聚合物：聚脲、聚氨酯和聚酰腙。还提供了制备合适聚酰腙的新型方法。这些方法涉及温和条件，并且获得在室温下稳定的可溶性聚合物，并且其可以掺入能够涂覆到微电子基材的制剂中。介电材料表现出高伸长率、低CTE、低固化温度、并且在消融后留下很少的碎屑甚至不留下碎屑。 | ||
| 搜索关键词： | 介电材料 激光烧蚀 碎屑 酰腙 机械性能 可溶性聚合物 微电子基材 温和条件 聚合物 聚氨酯 伸长率 图案化 掺入 聚脲 涂覆 制备 固化 消融 表现 | ||
【主权项】：
1.对支撑在基材上的介电层图案化的方法，其中，所述方法包括：通过使介电层暴露于激光能量以促进烧蚀至少一部分介电层来烧蚀介电层，改进在于：所述介电层由包含选自以下的聚合物的组合物形成：聚脲、聚氨酯和聚酰腙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
