[发明专利]垂直混合自旋扭矩转换(STT)和自旋轨道扭矩(SOT)磁随机存取存储器的共享源极线架构在审
| 申请号： | 201780057487.9 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109791940A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | S·李;H·蔡 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明题为“垂直混合自旋扭矩转换(STT)和自旋轨道扭矩(SOT)磁随机存取存储器的共享源极线架构”。本公开涉及一种混合自旋转换扭矩(STT)和自旋轨道扭矩(SOT)磁随机存取存储器(MRAM)。所述混合STT‑SOT MRAM的单元具有磁隧道结(MTJ)，所述磁隧道结具有其磁化垂直于衬底的平面取向的一些铁磁多层，和其磁化在所述衬底的所述平面内对齐的一些铁磁多层。架构导致高密度存储器。所述混合STT‑SOT MRAM降低编程电流密度，同时具有高切换速度、更高的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁随机存取存储器 自旋 磁化 自旋扭矩转换 共享源极线 架构 磁隧道结 垂直 衬底 多层 铁磁 轨道 高密度存储器 平面取向 热稳定性 对齐 编程 | ||
【主权项】：
1.一种混合自旋扭矩转换自旋轨道扭矩(STT‑SOT)存储器设备，包括：字线；栅极电极，所述栅极电极耦接到绝缘材料和所述字线；源极线，所述源极线耦接到源极电极；漏极电极；存储器单元，所述存储器单元耦接到所述漏极电极；SOT位线；和STT位线，所述STT位线耦接到所述存储器单元，其中所述源极线、所述SOT位线和所述STT位线全部设置在单独平面中并且彼此平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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