[发明专利]相关电子开关结构及应用在审
| 申请号： | 201780057712.9 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109791977A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 卢西恩·斯弗恩;金柏莉·盖伊·里德;格雷戈里·芒森·耶里克 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 当前所公开的技术涉及器件及其制造方法，该器件包括：第一金属层Mn；形成在该第一金属层Mn上的衬底，该衬底具有暴露金属层的一部分的腔；以及形成在腔中的相关电子材料(1304，1306)。或者该器件包括：衬底(1308)；形成在衬底(1308)上的金属层Mn，该金属层Mn具有中断；以及形成在中断中的相关电子材料(1304，1306)层和金属通孔VIAn+1。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 金属层 第一金属层 电子材料 电子开关结构 中断 金属通孔 暴露 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：蚀刻衬底的至少一部分，以形成暴露第一金属层的至少一部分的第一腔；以及在所述腔之上形成一层或多层CEM，以形成至少部分地填充所述腔的CEM结构。
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