[发明专利]光电转换元件及固态摄像装置有效
申请号: | 201780058083.1 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN109791934B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 川人祥二 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人静冈大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/10;H04N5/355;H04N5/374 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 潘树志 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供结构简单、动态范围宽且高速和高灵敏度的光电转换元件及固态摄像装置。具备:第一导电型的基体区域;第二导电型的表面埋设区域(33a),选择性地埋设于基体区域的上部,并与基体区域构成光电二极管(PD);第二导电型的第一电荷存储区域(SD1),埋设于基体区域的上部,并存储从表面埋设区域(33a)传输来的由光电二极管(PD)生成的第一信号电荷;以及第二导电型的第二电荷存储区域(SD2),埋设于基体区域,并存储从表面埋设区域(33a)传输来的由光电二极管(PD)生成的第二信号电荷,在一帧中重复进行多次在第一时间从表面埋设区域(33a)向第一电荷存储区域(SD1)传输第一信号电荷、并在比第一时间短的第二时间从表面埋设区域(33a)向第二电荷存储区域(SD2)传输第二信号电荷。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 固态 摄像 装置 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换元件,其特征在于,具备:第一导电型的基体区域;第二导电型的表面埋设区域,选择性地埋设于所述基体区域的上部,并与所述基体区域构成光电二极管;第二导电型的第一电荷存储区域,埋设于所述基体区域的上部的所述表面埋设区域附近,并存储从所述表面埋设区域传输来的由所述光电二极管生成的第一信号电荷;以及第二导电型的第二电荷存储区域,与所述第一电荷存储区域分开地埋设于所述基体区域,并存储从所述表面埋设区域传输来的由所述光电二极管生成的第二信号电荷,所述光电转换元件在一帧中重复进行多次在第一时间从所述表面埋设区域向所述第一电荷存储区域传输所述第一信号电荷、并在比所述第一时间短的第二时间从所述表面埋设区域向所述第二电荷存储区域传输所述第二信号电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的