[发明专利]具有漏极选择级隔离结构的三维存储器器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780058156.7 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109791932B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张艳丽;J.阿尔斯梅尔;R.马卡拉;S.卡纳卡梅达拉;R.沙朗帕尼;J.凯 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H01L29/788;H01L29/792;H10B43/35;H10B43/10;H10B41/27;H10B41/35;H10B41/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军;李莹 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了在衬底上方形成的层堆叠体，所述层堆叠体包括绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。在形成存储器堆叠结构之后，穿过所述层堆叠体形成背侧沟槽。所述牺牲材料层被导电层替换。在形成所述导电层之后，通过所述堆叠体的漏极选择级形成漏极选择级电介质隔离结构。所述漏极选择级电介质隔离结构横向分开导电层的部分，所述导电层的部分用作所述存储器堆叠结构的漏极选择级栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择 隔离 结构 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成三维存储器器件的方法，包括：在衬底上方形成层堆叠体，其中所述层堆叠体包括绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体；通过所述交替堆叠体形成存储器堆叠结构；通过所述交替堆叠体形成背侧沟槽；通过相对于所述绝缘层选择性地移除所述牺牲材料层形成背侧凹陷部；在所述背侧凹陷部中形成导电层；以及在形成所述导电层之后，在所述三维存储器器件的漏极选择级中形成电介质隔离结构。
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