[发明专利]自适应存储器单元写入条件有效
| 申请号： | 201780058323.8 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110036444B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·豪克内斯;吕志超 | 申请（专利权）人： | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G06F12/00;G11C7/08;G11C11/4197 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 公开了一种用于使用RRAM单元电阻的指示来确定写入条件的方法和相关装置。以比数据读取值更高的分辨率确定RRAM单元的单元特性。基于所述单元特性，为所述RRAM单元选择写入条件。使用所选的写入条件对所述RRAM单元进行写入。 | ||
| 搜索关键词： | 自适应 存储器 单元 写入 条件 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置的电子电路，其特征在于，包括：一确定电路，用于基于一测量结果来确定电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的写入条件，所述测量结果与先前写入所述RRAM单元的状态下的所述RRAM单元的电阻相关，所述测量结果达到比所述RRAM单元的数据读取值更高的分辨率；以及一写入驱动器，可操作连接至所述确定电路，以基于所确定的写入条件对所述RRAM单元进行写入。
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