[发明专利]集成的外延金属电极在审
| 申请号： | 201780058590.5 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109964302A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 罗德尼·佩尔策尔;安德鲁·克拉克;吕蒂斯·达吉斯;帕特里克·秦;迈克尔·莱比 | 申请（专利权）人： | IQE公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘慧;杨青 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述的系统和方法包括在稀土氧化物和半导体层之间的外延金属层。所述系统和方法据述用于生长分层结构(100)，该结构包括基底(102)，在基底上外延生长的第一稀土氧化物层(104)，在所述稀土氧化物上外延生长的第一金属层(106)层和在所述第一金属层上外延生长的第一半导体层(108)。 | ||
| 搜索关键词： | 外延生长 第一金属层 稀土氧化物 半导体层 基底 稀土氧化物层 分层结构 金属电极 金属层 生长 | ||
【主权项】：
1.一种分层结构，其包括：基底；在所述基底上外延生长的第一稀土氧化物层；在所述稀土氧化物层上外延生长的第一金属层；以及在所述第一金属层上外延生长的第一半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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