[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

摘要

有源矩阵基板(100)的像素区域具备：薄膜晶体管(101)，其具有氧化物半导体层(7)；无机绝缘层(11)及有机绝缘层(12)，其覆盖薄膜晶体管；共用电极(15)；电介质层(17)，其主要包含氮化硅；以及像素电极(19)，无机绝缘层具有包含氧化硅层和氮化硅层的层叠结构，像素电极(10)在像素接触孔内与漏极电极(9)接触，像素接触孔包括分别形成于无机绝缘层(11)、有机绝缘层(12)以及电介质层(17)的第1开口部、第2开口部以及第3开口部，第1开口部的侧面与第2开口部的侧面对齐，第2开口部的侧面包含：第1部分(121)，其相对于基板按第1角度(θ1)倾斜；第2部分(122)，其位于第1部分的上方，按比第1角度大的第2角度(θ2)倾斜；以及交界(120)，其位于第1部分与第2部分之间，相对于基板的倾斜角度不连续地变化。

主权项

1.一种有源矩阵基板，具备多个像素区域，上述有源矩阵基板的特征在于，上述多个像素区域各自具备：基板；薄膜晶体管，其支撑于上述基板，具有氧化物半导体层作为活性层；无机绝缘层，其以覆盖上述薄膜晶体管的方式形成；有机绝缘层，其形成于上述无机绝缘层上；共用电极，其配置于上述有机绝缘层上；像素电极，其隔着电介质层配置于上述共用电极上；以及像素接触部，其将上述像素电极与上述薄膜晶体管的漏极电极电连接，上述无机绝缘层具有包含氧化硅层和氮化硅层的层叠结构，上述氧化硅层主要包含氧化硅，上述氮化硅层配置于上述氧化硅层上，主要包含氮化硅，上述电介质层主要包含氮化硅，上述像素电极在设置于上述无机绝缘层、上述有机绝缘层以及上述电介质层的像素接触孔内与上述漏极电极接触，上述像素接触孔包括分别形成于上述无机绝缘层、上述有机绝缘层以及上述电介质层的第1开口部、第2开口部以及第3开口部，上述第1开口部的侧面与上述第2开口部的侧面对齐，上述第2开口部的上述侧面包含：第1部分，其相对于上述基板按第1角度倾斜；第2部分，其位于上述第1部分的上方，相对于上述基板按比上述第1角度大的第2角度倾斜；以及交界，其位于上述第1部分与上述第2部分之间，相对于上述基板的倾斜角度不连续地变化。