[发明专利]防止基于ReRAM的存储单元的过度编程有效
| 申请号： | 201780060379.7 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109791790B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | V·赫克特 | 申请（专利权）人： | 美高森美SOC公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡悦;陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止电阻随机存取(ReRAM)的存储器阵列中基于ReRAM的存储器单元的过度编程的方法，包括：在编程电路路径中施加编程电压，所述编程电路路径包括待编程的ReRAM存储器单元；在所述编程电压施加于所述存储器单元上时，感测由所述ReRAM单元消耗的编程电流；以及根据编程电流的上升而减小所述编程电流。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 基于 reram 存储 单元 过度 编程 | ||
【主权项】：
1.一种防止电阻随机存取(ReRAM)的存储器阵列中基于ReRAM的存储器单元的过度编程的方法，包括：在包括待编程的ReRAM存储器单元的编程电路路径中施加编程电压；在所述编程电压施加于所述存储器单元上时，感测由所述ReRAM单元消耗的编程电流；以及根据编程电流的上升来减小所述编程电流。
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