[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 201780060609.X | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109791886B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 中森光则 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式所涉及的基板处理方法包括液处理工序、第一置换工序、防水化工序、第二置换工序以及干燥工序。在液处理工序中，对基板供给含有水分的处理液。在第一置换工序中，对液处理工序后的基板供给第一温度的有机溶剂来置换处理液。在防水化工序中，对第一置换工序后的基板供给防水化液来使基板防水化。在第二置换工序中，对防水化工序后的基板供给比第一温度高的第二温度的有机溶剂来置换防水化液。在干燥工序中，将有机溶剂从第二置换工序后的基板去除。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，包括：液处理工序，对基板供给含有水分的处理液；第一置换工序，对所述液处理工序后的基板供给第一温度的有机溶剂来置换所述处理液；防水化工序，对所述第一置换工序后的基板供给防水化液来使所述基板防水化；第二置换工序，对所述防水化工序后的基板供给比所述第一温度高的第二温度的有机溶剂来置换所述防水化液；以及干燥工序，将所述有机溶剂从所述第二置换工序后的基板去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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