[发明专利]硫代(二)硅烷

摘要

本发明公开了包含式(A)的硫代硅烷或式(I)的硫代二硅烷的硫代(二)硅烷：(R1aR1bR1cCS)s(Si)XxHh(A)，其中下标s为2至4；(R1aR1bR1cCS)s(R22N)n(Si‑Si)XxHh(I)，其中下标s为1至6，并且其中R1a、R1b、R1c、R2、X以及下标n、x和h在本文中有所定义。本发明还公开了包含所述硫代(二)硅烷的组合物，制备和使用所述硫代(二)硅烷的方法，可用于合成所述硫代(二)硅烷的中间体，以及由所述硫代(二)硅烷制备的膜和材料。

主权项

1.一种式(I)的硫代二硅烷：(R^1aR^1bR^1cCS)_s(R²₂N)_n(Si‑Si)X_xH_h  (I)；其中：下标s为1至6的整数；下标n为0至5的整数；下标x为0至5的整数；下标h为0至5的整数；前提条件是，总和s+n+x+h＝6；当存在于式(I)中时(即，当下标h为1至5时)，每个H独立地键合到式(I)中的硅原子中的相同硅原子或不同硅原子；当存在于式(I)中时(即，当下标x为1至5时)，每个X为一价卤素原子F、Cl、I或Br，并且独立地键合到式(I)中的硅原子中的相同硅原子或不同硅原子；其中R^1a、R^1b和R^1c由限制条件(a)、(b)或(c)定义：(a)至少一个R^1a独立地为(C₂‑C₂₀)烷基或苯基，并且任何其余的R^1a、R^1b和R^1c中的每个独立地为H或(C₁‑C₂₀)烃基；或者(b)存在至少一个基团R^1aR^1bR^1cC，其独立地为取代或未取代的(C₆‑C₂₀)芳基，并且任何其余的R^1a、R^1b和R^1c中的每个独立地为H或(C₁‑C₂₀)羟基；或者(c)在相同的或不同的R^1aR^1bR^1cC基团中，R^1a、R^1b和R^1c(统称为R¹基团)中的任意两者键合在一起以形成二价基团，‑R¹¹‑，其中‑R¹¹‑为CH₂或(C₃‑C₂₀)亚烃基，并且任何其余的R^1a、R^1b和R^1c中的每个独立地为H或(C₁‑C₂₀)羟基；每个R²基团独立地为H或(C₁‑C₂₀)羟基；或者任意两个R²基团可以键合在一起以形成二价基团，‑R²²‑，其中‑R²²‑为(C₂‑C₂₀)亚烃基，并且任何其余的R²基团中的每个独立地为H或(C₁‑C₂₀)羟基；每个烃基和亚烃基独立地为未取代的或者被1至5个取代基SUB取代；并且每个SUB独立地为未取代的(C₁‑C₆)烷基、未取代的(C₃‑C₆)环烷基、未取代的(C₂‑C₆)烯基、未取代的(C₂‑C₆)炔基、未取代的(C₆‑C₇)芳基、氟、氯或溴。