[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201780060901.1 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109791950A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 远藤佑太;泽井宽美;木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/417;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种性能高且可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一氧化物；源电极；漏电极；第一氧化物、源电极及漏电极上的第二氧化物；第二氧化物上的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。源电极与第一氧化物电连接。漏电极与第一氧化物电连接。第一氧化物及第二氧化物都包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn。第一氧化物及第二氧化物包含比元素M原子多的In原子。第一氧化物的In、Zn及元素M的原子个数比和第二氧化物的In、Zn及元素M的原子个数比相等或近似。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体装置 漏电极 源电极 栅极绝缘膜 电连接 个数比 栅电极 相等 近似 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一氧化物；源电极；漏电极；所述第一氧化物、所述源电极及所述漏电极上的第二氧化物；所述第二氧化物上的栅极绝缘膜；以及所述栅极绝缘膜上的栅电极，其中，所述源电极与所述第一氧化物电连接，所述漏电极与所述第一氧化物电连接，所述第一氧化物和所述第二氧化物各自包含In、元素M及Zn，所述元素M是Al、Ga、Y或Sn，所述第一氧化物的所述In、所述Zn及所述元素M的原子个数比和所述第二氧化物的所述In、所述Zn及所述元素M的原子个数比相等或近似，并且，在所述第一氧化物及所述第二氧化物的每一个中，所述In的原子比例比所述元素M的原子比例高。
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