[发明专利]改变开关半桥的开关状态的方法及开关装置和变流器

摘要

本发明涉及一种用于将开关半桥(1)的开关状态从第一开关状态改变至第二开关状态的方法，开关半桥具有两个场效应晶体管(5、7)，在第一开关状态中，第一场效应晶体管(5)的栅极‑源极电压(UGS1)处于接通能级(Uon)并且第二场效应晶体管(7)的栅极‑源极电压(UGS2)处于第一关断能级(Uoff1)；在第二开关状态中，第一场效应晶体管(5)的栅极‑源极电压(UGS1)处于第一关断能级(Uoff1)并且第二场效应晶体管(7)的栅极‑源极电压(UGS2)处于接通能级(Uon)。在此，第一场效应晶体管(5)的栅极‑源极电压(UGS1)首先从接通能级(Uon)改变到第二关断能级(Uoff2)，第二关断能级的绝对值大于第一关断能级(Uoff1)的绝对值。随后，第二场效应晶体管(7)的栅极‑源极电压(UGS2)从第一关断能级(Uoff1)改变到接通能级(Uon)。此后，第一场效应晶体管(5)的栅极‑源极电压(UGS1)从第二关断能级(Uoff2)改变到于第一关断能级(Uoff1)。

主权项

1.一种用于将开关半桥(1)的开关状态从第一开关状态改变至第二开关状态的方法，所述开关半桥具有两个场效应晶体管(5、7)，在所述第一开关状态中，第一场效应晶体管(5)的栅极‑源极电压(U_GS1)处于接通能级(U_on)并且第二场效应晶体管(7)的栅极‑源极电压(U_GS2)处于第一关断能级(U_off1)；在所述第二开关状态中，所述第一场效应晶体管(5)的栅极‑源极电压(U_GS1)处于所述第一关断能级(U_off1)并且所述第二场效应晶体管(7)的栅极‑源极电压(U_GS2)处于所述接通能级(U_on)，其中‑所述第一场效应晶体管(5)的栅极‑源极电压(U_GS1)首先从所述接通能级(U_on)改变到第二关断能级(U_off2)，所述第二关断能级的绝对值大于所述第一关断能级(U_off1)的绝对值，‑随后，所述第二场效应晶体管(7)的栅极‑源极电压(U_GS2)从所述第一关断能级(U_off1)改变到所述接通能级(U_on)，‑并且此后，所述第一场效应晶体管(5)的栅极‑源极电压(U_GS1)从所述第二关断能级(U_off2)改变到所述第一关断能级(U_off1)，‑其中，将具有电感(27)的附加电路(17)连接在所述第一场效应晶体管(5)的栅极端子(G1)的上游，在所述第一场效应晶体管(5)的控制电压(U_C1)从所述接通能级(U_on)改变到所述第一关断能级(U_off1)时，所述电感使得所述第一场效应晶体管(5)的栅极‑源极电压(U_GS1)暂时改变到所述第二关断能级(U_off2)，‑并且为了将所述第一场效应晶体管(5)的栅极‑源极电压(U_GS1)从所述接通能级(U_on)改变到所述第二关断能级(U_off2)，将所述第一场效应晶体管(5)的所述控制电压(U_C1)从所述接通能级(U_on)改变到所述第一关断能级(U_off1)。