[发明专利]加快在半导体装置制作中的光谱测量有效
| 申请号： | 201780061450.3 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109791896B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | V·音麦;T·马西安诺;E·拉维特 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种用于在校准、叠对及配方创建期间通过白光照射的干涉光谱学而加快半导体装置制作期间的计量活动中的光谱测量的装置及方法。 | ||
| 搜索关键词： | 加快 半导体 装置 制作 中的 光谱 测量 | ||
【主权项】：
1.一种干涉光谱学计量工具，其包括：干涉显微镜，其经配置以在聚焦透镜的垂直输送期间依据源自白光照射的光射束创建干涉图，所述干涉图是由与所述干涉显微镜相关联的单像素检测器捕获；及计算机，其经配置以通过将傅里叶变换应用于所述干涉图上而使所述干涉图再现为频谱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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