[发明专利]具有用于改善负载能力的覆层的无源电器件在审

专利信息
申请号: 201780061486.1 申请日: 2017-08-04
公开(公告)号: CN109789437A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 迪尔克·扎尔茨;拉尔夫·维尔肯;斯特凡·迪克霍夫;马尔特·伯查特;克里斯托弗·德勒;克里斯托夫·雷古拉;弗朗茨-约瑟夫·韦斯特曼 申请(专利权)人: 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
主分类号: B05D1/00 分类号: B05D1/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;周涛
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种具有中间层的无源电器件、尤其线圈,其中,所述中间层具有比所述无源电器件的以所述中间层覆盖的表面更小的热膨胀系数,并且在所述中间层上设置有等离子体聚合的、含碳的覆层,所述覆层具有碳含量,所述碳含量在与等离子体聚合的覆层的背向所述中间层的侧相距80nm的深度中测量,其中,所述等离子体聚合的覆层包括50至100原子%、优选地50至90原子%的碳含量或作为金属有机覆层,布置2至50原子%的碳含量,所述碳含量分别借助XPS测量。
搜索关键词: 中间层 覆层 等离子体聚合 无源电器件 测量 热膨胀系数 负载能力 有机覆层 优选 金属 相距 覆盖
【主权项】:
1.一种具有中间层的无源电器件、尤其线圈,其中,所述中间层具有比所述电器件的以所述中间层覆盖的表面更小的热膨胀系数,并且在所述中间层上设置有含碳的等离子体聚合的覆层,所述覆层具有碳含量,所述碳含量在与所述等离子体聚合的覆层的背向所述中间层的侧相距80nm的深度中测量,其中,所述等离子体聚合的覆层包括50至100原子%、优选地50至90原子%的碳含量或作为金属有机覆层,布置2至50原子%的碳含量,所述碳含量分别借助XPS测量并且以借助XPS检测的原子来计。
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