[发明专利]选择性的SiN侧向内凹在审
| 申请号： | 201780061602.X | 申请日： | 2017-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN109906500A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈智君;J·黄;王安川;N·英格尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于侧向蚀刻氮化硅的示例性方法可以包括将含氟前驱物和含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域内。所述方法可以包括在远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物和所述含氧前驱物的等离子体流出物。所述方法还可以包括将所述等离子体流出物流入所述半导体处理腔室的处理区域内。基板可以被放置在处理区域内，并且所述基板可以包括沟槽，所述沟槽被形成为穿过堆叠层，所述堆叠层包括交替的氮化硅层和氧化硅层。所述方法还可以包括在实质上维持所述氧化硅层的同时，从所述沟槽的侧壁侧向蚀刻所述氮化硅层。所述氮化硅层可以从所述沟槽的所述侧壁被侧向蚀刻小于10nm。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 侧向蚀刻 氮化硅层 前驱物 半导体处理腔室 远程等离子体 处理区域 氧化硅层 堆叠层 侧壁 含氟 含氧 基板 前驱 侧向内凹 流出物流 氮化硅 交替的 流出物 物流 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，包含：将含氟前驱物和含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域内；在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物和所述含氧前驱物的等离子体流出物；将所述等离子体流出物流入所述半导体处理腔室的处理区域内，其中基板被放置在所述处理区域内，并且其中所述基板包含沟槽，所述沟槽被形成穿过堆叠层，所述堆叠层包括交替的氮化硅层和氧化硅层；以及在实质上维持所述氧化硅层的同时，从所述沟槽的侧壁侧向蚀刻所述氮化硅层，其中所述氮化硅层从所述沟槽的所述侧壁被侧向蚀刻小于10nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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