[发明专利]使用PVD钌的方法与装置有效
| 申请号： | 201780061629.9 | 申请日： | 2017-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN109804458B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 乔斯林甘·罗摩林甘;罗斯·马歇尔;雷建新;唐先民 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了含钌的栅极层叠和形成含钌栅极层叠的方法。含有钌的栅极层叠包含：多晶硅层，在基板上；硅化物层，在多晶硅层上；阻挡层，在硅化物层上；钌层，在阻挡层上；及间隔层，包含在钌层的侧面上的氮化物，其中钌层在形成间隔层之后基本上不包含氮化钌。形成钌层包含以下步骤：在氪环境中在包含高电阻率陶瓷材料的高电流静电卡盘上溅射钌。溅射的钌层在大于或等于约500℃的温度下退火。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 pvd 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种形成栅极层叠的方法，所述方法包含以下步骤：提供等离子体溅射腔室，所述等离子体溅射腔室包括靶和基座，所述靶包含钌，所述基座用于支撑与所述靶相对的待被溅射的基板，所述基座包含大于或等于约350℃的高电流静电卡盘；将氪气流到所述腔室中，并将所述氪气激发成等离子体，以在所述基板上沉积钌层；提供退火腔室；及在大于或等于约500℃的温度下退火在所述基板上的所述钌层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780061629.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
