[发明专利]结构物、该结构物的制造方法、半导体元件以及电子电路在审
| 申请号： | 201780062422.3 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109863607A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 霍间勇辉;川岛绘美;长崎义和;关谷隆司;上冈义弘 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47;H01L29/872;H01L27/146;H01L31/07;H01L31/10;H01L29/812 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种结构物，包含金属氧化物半导体层与贵金属氧化物层，所述金属氧化物半导体层与所述贵金属氧化物层邻接，所述贵金属氧化物层的膜厚超过10nm。 | ||
| 搜索关键词： | 贵金属氧化物层 结构物 金属氧化物半导体层 半导体元件 电子电路 邻接 膜厚 制造 | ||
【主权项】：
1.一种结构物，其特征在于，包含金属氧化物半导体层与贵金属氧化物层，所述金属氧化物半导体层与所述贵金属氧化物层邻接，所述贵金属氧化物层的膜厚超过10nm。
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