[发明专利]多晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201780062481.0 | 申请日： | 2017-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN109843800B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 井上祐一;江野口正美;冈村恒太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;C01B3/52;C01B3/56;C01B33/02 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 尹吉伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供环境负担少、生产成本低的多晶硅的制造方法。本发明的多晶硅的制造方法包括硅析出工序、分离工序、氯化氢除去工序、氢纯化工序、活性炭再生工序及循环工序。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅的制造方法，其特征在于，包括：使氯硅烷化合物与氢反应而使多晶硅析出的硅析出工序；将从所述硅析出工序排出的排气分离成氯硅烷冷凝液和气体成分A的分离工序；使所述气体成分A与氯硅烷液接触而将氯化氢除去、得到气体成分B的氯化氢除去工序；使所述气体成分B与活性炭接触而将氯硅烷化合物除去、得到氢气A的氢纯化工序；使与所述气体成分B接触后的活性炭与氢气B接触而再生的活性炭再生工序；及将通过所述活性炭再生工序而得到的气体成分C进行加压后供给至所述分离工序的循环工序。
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