[发明专利]从坩埚中所含的熔体提拉半导体材料单晶的方法有效
| 申请号： | 201780062661.9 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109804109B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | T·施勒克;W·霍维泽尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B15/20;C30B15/26 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于从坩埚中所含的熔体提拉由半导体材料组成的单晶的方法，该方法包括：在产生所述单晶的初始锥体的阶段中提拉所述单晶，直至开始提拉所述单晶的圆柱形区段的阶段。所述方法包括：测量所述单晶的初始锥体的直径Dcr，并计算所述直径的变化dDcr/dt；从时间点t1直至时间点t2，以提拉速度vp(t)从所述熔体提拉所述单晶的初始锥体，从所述时间点t2起开始以目标直径Dcrs提拉所述单晶的圆柱形区段，其中借助于迭代计算过程预先确定在提拉所述初始锥体期间从所述时间点t1直至所述时间点t2所述提拉速度vp(t)的分布曲线。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 熔体提拉 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
1.用于从坩埚中所含的熔体提拉由半导体材料组成的单晶的方法，该方法包括：在产生所述单晶的初始锥体的阶段中提拉所述单晶，直至开始提拉所述单晶的圆柱形区段的阶段，其包括：测量所述单晶的初始锥体的直径Dcr，并计算所述直径的变化dDcr/dt；从时间点t1直至时间点t2，以提拉速度vp(t)从所述熔体提拉所述单晶的初始锥体，从所述时间点t2起开始以目标直径Dcrs提拉所述单晶的圆柱形区段，其中借助于迭代计算过程预先确定在提拉所述初始锥体期间从所述时间点t1直至所述时间点t2所述提拉速度vp(t)的分布曲线。
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