[发明专利]DC-DC转换器有效
| 申请号： | 201780062693.9 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109891730B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 萨穆利·安蒂·哈利凯南 | 申请（专利权）人： | 北欧半导体公司 |
| 主分类号： | H02M3/156 | 分类号： | H02M3/156;H02M1/08;H02M1/38 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种降压电路(102)，包括电源开关电路部分(10)，该电源开关电路部分(10)包括在开关节点(138)处连接的高侧场效应晶体管(128)和低侧场效应晶体管(130)。电源开关电路部分具有其中高侧晶体管被启用且低侧晶体管被禁用的导通状态，并且具有与之相反的断开状态。包括与开关节点连接的电感器(32)的能量储存电路部分(106)被布置成提供输出电压(136)。驱动电路部分(104)接收脉冲宽度调制控制信号并输出脉冲宽度调制(PWM)驱动信号。预偏置电路部分(150)响应于PWM驱动信号将偏压施加到高侧晶体管和低侧晶体管的栅极端子，其中预偏置电路部分被布置成使得：在导通状态与断开状态之间切换之前，被施加到当前被禁用的晶体管的栅极端子的偏压被设置为中间电压。 | ||
| 搜索关键词： | dc 转换器 | ||
【主权项】：
1.一种降压电路，其包括：电源开关电路部分，包括高侧场效应晶体管和低侧场效应晶体管，所述高侧场效应晶体管和所述低侧场效应晶体管被串联布置成使得所述高侧晶体管和所述低侧晶体管中的每一个的漏极端子在开关节点处连接，所述电源开关电路部分具有导通状态和断开状态，在所述导通状态中，所述高侧晶体管被启用且所述低侧晶体管被禁用，在所述断开状态中，所述高侧晶体管被禁用且所述低侧晶体管被启用；跨接在所述高侧晶体管和所述低侧晶体管两端的输入电压；包括电感器的能量储存电路部分，所述能量储存电路部分连接到所述开关节点并被布置成提供输出电压；驱动电路部分，所述驱动电路部分被布置成接收脉冲宽度调制控制信号并输出第一脉冲宽度调制驱动信号和第二脉冲宽度调制驱动信号；以及预偏置电路部分，所述预偏置电路部分连接到所述电源开关电路部分，被布置成响应于所述脉冲宽度调制驱动信号分别向所述高侧晶体管的栅极端子和所述低侧晶体管的栅极端子施加第一偏压和第二偏压，其中所述预偏置电路部分被布置成使得：在所述导通状态与所述断开状态之间切换之前，被施加到当前被禁用的晶体管的栅极端子的偏压被设置为中间电压。
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